схема для снятия характеристик транзистора

 

 

 

 

1.Соберите схему для снятия характеристик полевого транзистора (рис.6). После проверки схемы установите ручки регуляторов напряжений в нулевые позиции и включите стенд. В справочниках по транзисторам, как правило, приводятся типовые семейства характеристик, представляющие собой усредненныеПо этой причине подача напряжения на коллектор транзистора с оборванной базой недопустима. Схемы для снятия ВАХ. - понятие и виды. 8. Статические вольт-амперные характеристики биполярного транзистора Статические характеристики снимаются на постоянном токе и без нагрузки в выходной цепи. Данные характеристики используются для расчета транзисторных схем. Регуляторы напряжения, обозначенные 0 - 0,5 В и 0 - 30 В, выведите в крайнее положение в направлении, противоположном движению часовой стрелки. Рис. 6. Рабочая схема для снятия характеристик транзистора. Регуляторы напряжения, обозначенные 0 - 0,5 В и 0 - 30 В, выведите в крайнее положение в направлении, противоположном движению часовой стрелки. Рис. 6. Рабочая схема для снятия характеристик транзистора. Для усиления электрических импульсов используются полупроводниковые триоды. Так как работает транзистор за счет изменения напряжения в сети, он может регулировать силу тока в определенном электрическом устройстве. Виды транзисторов. . Для снятия входных характеристик переключатель К переводится в положение 1, тем самым вход Х осциллографа подключается к промежутку база-коллектор транзистора, а так как эмиттер является общим электродом в данной схеме Схема подключения транзистора типа р-n-р показана на рис. 19. Три области транзистора обозначены: Э — эмиттерная р-типа, Б — базовая n -типа, К — коллекторная р-типа.

Рис. 21 - Характеристики транзистора в схеме с общей базой 2. Снять входные характеристики транзистора. Методика снятия входных характеристик.При снятии входной характеристики при Uкэ 5В сначала следует отключить перемычку, а потом подключить к схеме ЛИПС-2.

Вид характеристик зависит от способа включения транзистора. Характеристики транзистора, включенного по схеме ОБ.Особенностью характеристик в области 2 является их небольшой подъем при увеличении напряжения UКБ. Схема для снятия статических характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (а) и статические характеристики транзистора П-13: входные (б) и выходные (в). Транзисторные и диодные элементы микроэлектронных схем, как правило, изготавливаются по планарной технологии. 33) Дайте определение полевого транзистора. Зарисуйте схему для снятия стокозатворной характеристики полевого транзистора с управляющим p 10. Нарисуйте схему установки для снятия статических характеристик для схемы с ОБ, ОЭ. Укажите полярность питающих напряжений. 11. Сравните полученные результаты со справочными данными транзистора МП14, параметры которого приведены в Приложении. Регуляторы напряжения, обозначенные 0 - 0,5 В и 0 - 30 В, выведите в крайнее положение в направлении, противоположном движению часовой стрелки. Рис. 6. Рабочая схема для снятия характеристик транзистора.включенного по схеме с ОЭ, могут быть измерены с помощью схемы для снятия статических характеристик тиристора с ОЭ. Для схемы с ОЭ: - выходное дифференциальное сопротивление транзистора в заданной точке. - коэффициент ОС по напряжению. Регуляторы напряжения, обозначенные 0 - 0,5 В и 0 - 30 В, выведите в крайнее положение в направлении, противоположном движению часовой стрелки. Рис. 6. Рабочая схема для снятия характеристик транзистора. Схема соединения для снятия характеристик транзистора. По полученным данным построить три входные статические характеристики при для транзистора, соединенного по схеме с общим эмиттером. Рис. 21 - Характеристики транзистора в схеме с общей базой: а — входная характеристика, б — выходная характеристика.Рис. 22 - Схема соединений приборов для снятия характеристик. Цель работы: снятие и анализ входных и выходных характеристик транзистора, включенного с ОЭ.Рис.6.3. Схема включения в усилитель биполярного транзистора с ОЭ.

Описание стенда для снятия характеристик транзистора с ОЭ. Сегодня заменил в своей "схеме для снятия характеристик транзистора" транзистор на другой. Тот что выпаял проверил прибором и переходы оказались целыми, т.е. транзистор в норме. Схема подключения приборов для снятия выходной характеристики биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером имеет вид Для снятия характеристики на коллектор испытуемого транзистора подают нужное напряжение UK и, поддерживая егоС помощью подобного прибора можно снять семейство статических выходных характеристик транзисторов, включенных по схеме с общим эмиттером. 2.1 Исследование входных характеристик биполярного транзистора в схеме с общей базой. 2.1.1 Собрать схему исследования входных характеристик БТ. На рисунке 1 приведена схема исследования для n-p-n транзистора. Регуляторы напряжения, обозначенные 0 - 0,5 В и 0 - 30 В, выведите в крайнее положение в направлении, противоположном движению часовой стрелки. Рис. 6. Рабочая схема для снятия характеристик транзистора. Основные расчетные соотношения для этих схем включения полевых транзисторов приведены в таблице 3.4, где S — крутизна характеристики полевого транзистора, мА/В R, — внутреннее сопротивление транзистора. В PSpice встроена универсальная модель для BJT, в которой используются параметры, приведенные в разделе "Q - биполярный транзистор" приложения D. Полезно рассмотреть как.END. Рис. 10.1. Схема для снятия выходных характеристик биполярного транзистора. Собранную схему покажите преподавателю.Снятие выходных статических характеристик транзистора. Измерительные приборы и источники напряжения подключаются согласно рисунку 1 (см. выше). Выходной характеристикой биполярного транзистора является зависимость тока коллектора (IК) от напряжения коллектор-эмиттер (UКЭ) при постоянном токе базы (IБ). Схема для снятия статических характеристик приведена на рисунке 2. Статические характеристики транзистора используются для определения его параметров и для расчета схем.Для снятия статических характеристик транзистора с общим эмиттером используется схема, изображенная на рис. 4. Схема установки для снятия статических характеристик транзистора при его включении с общим эмиттером приведена на рис. 1. Рис. 1 Схема для снятия характеристик транзистора. На схеме приняты следующие обозначения Несколько экспериментов с транзисторами, 37 транзисторных схем, принцип работы транзистора.Эксперимент 5 Транзистор в качестве выключателя. Соберите схему согласно рис. 10, но пока не устанавливайте резистор R1 и транзистор Т1 в схему. 1 Лабораторная работа 4 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ЦЕЛЬ РАБОТЫ Снятие и анализ входных и выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h- параметров. Для снятия входных и выходных характеристик биполярного транзистора с ОЭ можно использовать схему как на рис.1. В ней при помощиВходное сопротивление по переменному току имеет существенное значение для согласования между собой транзисторных каскадов. 2. По снятым характеристикам рассчитать низкочастотные малосигнальные h- параметры транзистора для схем ОЭ и ОБ в указанных нижеНизкочастотные h-параметры можно определить с помощью статических характеристик методом снятия их на постоянном токе.четырехполюсник, два вывода которого предназначены для подключения входного сигнала и два оставшихся вывода служат для снятия с нихАмплитудно-частотная характеристика схемы включения транзистора с общим коллектором достаточно широкополосна. Рис. 6 Принципиальная схема для осциллографического снятия выходных характеристик транзисторов в схеме с ОЭ и вид выходных характеристик. Это изменяющееся по синусоидальному закону напряжение управляет отклонением луча по горизонтали. Измерительная схема для снятия статических характеристик транзистора типа р-n-р в схеме с общим эмиттером представлена на рис.4. Потенциометры R1 (слева) и R2(справа) Информацию о некоторых параметрах полевого транзистора можно получить из семейства статических вольт-амперных характеристик.Поскольку схема с общим истоком является типовой, то обычно при снятии вольт-амперных характеристик исток заземляется, а к стоку и Рассмотрим действие транзистора в схеме с общим эмиттером (рис.4). Как и в схеме с общей базой, эмиттерный переход включен в. 50.3.1. Необходимые приборы: стенд для снятия характеристик транзистора, транзистор n-p-n-типа, источники питания 1 и 10 В. Дифференциальные физические параметры биполярного транзистора в схеме с ОБ.На рис.9 приведена принципиальная схема стенда для снятия вольт-амперных характеристик транзистора, включенного с ОЭ. Характеристики и параметры транзистора. Свойства транзисторов определяются соответствующими характеристиками и параметрами.Описание схемы для снятия характеристик транзистора. 6. Какие приборы необходимы для снятия характеристик транзистора?Для исследования используется транзистор MPS3709 (nationl1), отечественный аналог КТ3102A. Рисунок 21 Схема для исследования биполярного транзистора. 2. Определить по характеристикам транзистора в рабочей точке его статические параметры.2. Подключите схему к клеммам источников постоянного тока. 3. Снятие входных характеристик. Схема для снятия статических характеристик полевого транзистора. Стоковые характеристики транзистора.Рисунок 2- статистические характеристики полевого транзистора с встроенным каналом p типа. Рис. 6 Принципиальная схема для осциллографического снятия выходных характеристик транзисторов в схеме с ОЭ и вид выходных характеристик. Это изменяющееся по синусоидальному закону напряжение управляет отклонением луча по горизонтали. Получить на экране изображение ВАХ, удобное для снятия показаний. Данные занести в таблицу аналогичную табл.2 или просто убедиться в их соответствие. Задание 4. Исследование статических вольтамперных характеристик (ВАХ) транзистора, включенного по схеме с Оэ 2. Снять входные характеристики транзистора. Методика снятия входных характеристик.При снятии входной характеристики при Uкэ 5В сначала следует отключить перемычку, а потом подключить к схеме ЛИПС-2. Лабораторная работа 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ. Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h- параметров. 2.2. Снятие семейства выходных характеристик биполярного транзистора lKf(Uio) для схемы ОЭ. 2.3. Снятие передаточной характеристики по току IK:tTIb) для схемы ОЭ. В зависимости от схемы включения транзистора значения будут различными. Поэтому и внешний вид характеристик будет различным.ВАХ в схеме с ОБ могут быть сняты по следующей схеме: Схема для снятия статических ВАХ.

Недавно написанные: